Увеличить производительность можно не только за счет модернизации системы, но и за счет использования форсированных режимов, характеризующихся повышенными частотами для компьютерных компонентов
Евгений Рудометов,
Виктор Рудометов
>> Часть 3
Приведенную выше формулу зависимости тепловой мощности от напряжения питания и частоты можно легко привести к следующему виду:
где переменные с индексом f обозначают соответствующие параметры разгона, а переменные с нулевым индексом — параметры штатного режима.
И частный вариант для случая сохранения штатного уровня напряжения питания (Vf=Vo):
По сути, эти формулы могут считаться одними из важнейших для оверклокеров, так как они дают прогноз мощности теплообразования в зависимости от установленных значений тактовых частот (F) и уровней напряжения питания (V). А это в свою очередь позволяет оценить требуемые средства энергопитания (блок питания) и средства охлаждения. От их качества зависят степень разгона и устойчивость работы.
Таким образом, оценка с помощью приведенных формул позволяет сразу, исходя из планируемых значений тактовых частот и уровней напряжения, подобрать необходимые средства энергопитания и охлаждения. При этом выбор может осуществляется с минимальным запасом, то есть без переплаты за излишнюю избыточность.
К слову сказать, все формулы и рекомендации относятся не только к процессорам (CPU), но и к чипсетам, и даже к модулям памяти. Сохраняют они свою корректность, конечно, и по отношению к графическим процессорам (GPU), которые являются основой видеоадаптеров. Вообще говоря, это верно и для других микросхем, которые подвергаются оверклокингу.
Необходимо отметить, что в приведенных формулах целесообразно в качестве Po использовать реальное значение тепловой мощности микросхемы (для тех, кто забыл, и процессор, и GPU являются микросхемами). В этом случае, как показывает практика, оценки с очень высокой точностью соответствуют фактическим данным.
При отсутствии информации об уровне реального теплообразования, можно использовать и соответствующее значение TDP (Thermal Design Power — максимальная мощность теплообразования). Значение TDP приводится в сопровождающей технической документации и в справочниках. Как уже отмечалось выше, это относится и к CPU, и к GPU, и к микросхемам чипсетов.
Здесь следует напомнить, что величина реального теплообразования в штатном режиме всегда меньше значения TDP, устанавливающего максимальный уровень теплообразования. Фактически TDP — это предельное значение теплообразования, приводимое (декларируемое) производителем. Кстати, часто уровень TDP является неизменным для всей линейки изделий. Превышение TDP над реальным значением теплообразования является своеобразным запасом. Он специально введен производителем и рассчитан на некоторый разброс параметров. Этот разброс вызван случайными флуктуациями, связанными с особенностями технологических процессов.
Уровни TDP специально сообщаются проектировщикам и производителям кулеров, материнских плат, блоков питания, корпусов и т. д. Естественно, исходя из значений TDP, они ориентируются на предельные уровни теплообразования (и энергопотребления).
Примеры оценки ожидаемой тепловой мощности процессоров для разных режимов их разгона приведены в таблице 1.
Таблица 1. Оценка тепловой мощности центральных процессоров
в разных режимах разгона
| Процессор | Po, Вт |
Fo, ГГц |
Vo, В |
Fk, ГГц |
Vk, В |
Pk=, Вт |
| Intel Pentium 4 2ГГц |
52,4 | 2 | 1,5 | 2,1 | 1,50 | 55,0 |
| 2,2 | 1,50 | 57,6 | ||||
| 2,4 | 1,55 | 67,1 | ||||
| 2,6 | 1,60 | 77,5 | ||||
| Intel Core 2 Duo E7600 |
45 | 3,06 | 1,275 | 3,2 | 1,275 | 47,1 |
| 3,4 | 1,275 | 50,0 | ||||
| 3,6 | 1,275 | 52,9 | ||||
| 3,8 | 1,35 | 62,7 | ||||
| AMD Athlon II X2 255 |
65 | 3,1 | 1,4 | 3,2 | 1,4 | 67.1 |
| 3,4 | 1,4 | 71.3 | ||||
| 3,6 | 1,5 | 86.7 | ||||
| 3,8 | 1,5 | 91.5 | ||||
| AMD Phenom II X2 555 |
74 | 3,2 | 1,4 | 3,4 | 1,4 | 78,6 |
| 3,6 | 1,4 | 83,3 | ||||
| 3,8 | 1,4 | 87,9 | ||||
| 4,0 | 1,55 | 113,4 |
В следующей части данной статьи — некоторые выводы и следствия из приведенных формул и выполненных оценок тепловой мощности центральных процессоров при разных частотных режимах их эксплуатации.
>> Часть 5