Полупроводниковое будущее (часть 4)


В Сан-Франциско прошел очередной IDF, на котором IT-компании представили свои новейшие разработки

trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)trans Полупроводниковое будущее (часть 4)  

Евгений Рудометов 
 

 >>    Часть 3 
  

Выпуск все более совершенных и функциональных процессоров стал возможен благодаря регулярной модификации полупроводниковых технологий.

В настоящее время компания Intel находится в завершающей стадии внедрения технологии массового производства с нормами 32 нм. Однако компания Intel уже опробовала опытный выпуск полупроводниковых чипов, созданных по нормам 22 нм. Ими традиционно стали чипы памяти SRAM.

Микросхемы SRAM, произведенные с применением техпроцесса 22 нм — это массив ячеек памяти емкостью 364 млн бит из 2,9 млрд транзисторов (рис. 6), где каждая ячейка SRAM занимает площадь 0,092 кв. мм. Это примерно вдвое больше плотности, достигаемых при работе с 32-нм техпроцессом.

Тестирование новых техпроцессов Intel на чипах памяти SRAM и соответствующей логической обвязке в рамках стратегии “тик-так” является шагом перед следующим этапом — выпуском процессоров с соблюдением этих норм производства.

 

22nm 444x500 Полупроводниковое будущее (часть 4) 

Рис. 6. Пластина с чипами, произведенными по технологии 22 нм

 

Необходимо отметить, что переход на 22 нм нормы заключался в масштабировании разработок предыдущих поколений на новые, более тонкие нормы производства. Для нового техпроцесса пришлось разрабатывать сложнейшие многослойные фотомаски с фазовым сдвигом, применять иммерсионную (с погружением в жидкость) фотолитографию с двойным проходом и множество других инженерных ухищрений. В дополнение к этому пришлось значительно усовершенствовать сами транзисторы, в которых используются новые специальные материалы.

А первые процессоры согласно традиции появятся примерно через два года. К тому времени среди процессоров утвердится микроархитектура Sandy Bridge, а пока и в настольных, и в мобильных системах доминирующей останется микроархитектура Nehalem.

Первыми мобильными процессорами с микроархитектурой Nehalem стали соответствующие четырехъядерные модели, ранее известные под кодовым именем Clarksfield. Для их поддержки был выпущен чипсет — Mobile Intel PM55 Express Chipset.

А в 2010 году запланирован выход гибридных двухъядерных процессоров Arrandale, созданных по технологии 32 нм (таблица 1).

 

Таблица 1. Процессоры микроархитектуры Nehalem

Сегмент Микроархитектура Nehalem
45 нм (Nehalem) 32 нм (Westmere)
Настольные ПК Высокопроизводительные Bloomfield (4C/8T) Gulftown (6C/12T)
Массовые Lynnfield (4C/8T) Clarkdale (2C/4T + iGFX)
Мобильные ПК Clarksfield (4C/8T) Arrandale (2C/4T + iGFX)

  

Основные характеристики процессоров Arandale приведены  в следующей части  данной статьи. В этой же части рассмотрены некоторые тенденции, связанные с совершенствованием компьютерных комплектующих и узлов.
   
 

>>    Часть 5  
      


Ссылки по теме

Leave a Reply

You must be logged in to post a comment.