Полупроводниковое будущее (часть 1)


В Сан-Франциско прошел очередной IDF, на котором IT-компании представили свои новейшие разработки

trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)trans Полупроводниковое будущее (часть 1)  

Евгений Рудометов 
 

  
  

В конце сентября 2009 года в Сан-Франциско прошел IDF (Intel Developer Forum) — Форум Intel для разработчиков и специалистов электроники.

Представленные на этом Форуме Intel новейшие изделия и технологии заложили основу многих направлений. Они будут долгое время оказывать большое влияние на развитие не только отраслей индустрии, связанных с компьютерами и электроникой, но, учитывая значение современных информационных технологий, и на всю экономику большинства стран мира. 

Значение различных научно-технических школ, семинаров, конференций и симпозиумов, оказывающих большое влияние на развитие современных перспективных технологий, трудно переоценить. Участвуя в их работе, специалисты получают возможность ознакомиться с новейшими достижениями и оперативно обменяться знаниями. В дальнейшем они информируют о результатах и перспективах широкие слои общественности, заинтересованные в использовании новейших достижений на работе и в быту, стимулируя развитие соответствующих отраслей промышленности.

К числу подобных мероприятий, представляющих большое общественное значение, относится Форум Intel (далее просто Форум). На заседаниях Форума крупнейшие специалисты отрасли обсудили проблемы, достижения и перспективные направления развития существующих и будущих технологий.

Несколько лет назад компания Intel представила концепцию регулярного обновления полупроводниковых технологий и процессорных микроархитектур. Эта концепция получила наименование Tick-Tock.

Данная концепция предусматривает переход на новые технологии по нечетным и новые микроархитектуры — по четным годам, то есть каждые два года.

При этом каждая микроархитектура перед запуском в массовое производство отрабатывается сначала на текущем, хорошо отлаженном технологическом процессе (техпроцессе), а потом уже новый техпроцесс отлаживается на зрелой, хорошо отлаженной, тщательно оттестированной микроархитектуре процессорных ядер (рис. 1).

 

Tick Tock4 500x375 Полупроводниковое будущее (часть 1) 

Рис. 1. Концепция Tick-Tock

 

В соответствии с этой стратегией в 2008 году Intel представила первые процессоры Intel Core i7 микроархитектуры Nehalem, созданные на основе техпроцесса 45 нм.

Ключевыми для конструкторов и пользователей стали:

  • 4 ядра (кодовое наименование Bloomfield),
  • отдельные для каждого ядра 256 Кбайт кэш-памяти L2 и общая кэш-память третьего уровня объемом 8 Мбайт,
  • три канала встроенного в процессор контроллера подсистемы основной памяти DDR3,
  • поддержка технологий многопоточной обработки данных (Hyper-Threading),
  • автоматическое увеличение рабочих частот активных ядер (динамический разгон), обеспечиваемого технологией Turbo Boost.

Ядра, реализующие все это, были заключены в корпус с 1366 контактами (LGA1366).

В дальнейшем на основе накопленного опыта данной разработки были выпущены модели Intel Core i7 и Intel Core i5 в конструктиве LGA1156 (кодовое название Lynnfield).

Отличительными характеристиками являются:

  • встроенный в процессор контроллер двух каналов оперативной памяти,
  • встроенный контроллер шины PCI Express, используемой в ПК для подключения графических карт.

Для поддержки данных процессоров выпущен специальный чипсет Intel P55, состоящий только из одной микросхемы. Данный чипсет стал основой целого ряда материнских плат для высокопроизводительных компьютеров.

В соответствии с планами реализации концепции Tick-Tock опыт, накопленный в ходе выпуска и реализации 45-нм процессоров архитектуры Nehalem, позволяет постепенно перейти  к следующему этапу, который характеризуюется еще более тонкой литографией.

О перспективах и объемах предстоящих работ свидетельсьтвует, например, то, что к настоящему времени уже поставлено более 200 млн. процессоров, выполненных с соблюдением норм 45-нм техпроцесса.

Нет оснований сомневаться в снижении темпов и при выпуске 32-нанометровых чипов, ставших основой процессора Westmere.

В следующей части  данной статьи приведены некоторые характеристики процессора Westmere.
   
 

>>    Часть 2  
      


Ссылки по теме

Leave a Reply

You must be logged in to post a comment.