Полупроводниковое будущее (часть 3)


В Сан-Франциско прошел очередной IDF, на котором IT-компании представили свои новейшие разработки

trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)trans Полупроводниковое будущее (часть 3)  

Евгений Рудометов 
 

 >>    Часть 2 
  

В качестве иллюстрации высокой производительности 32-нанометровых процессоров на Форуме была продемонстрирована система, сердцем которой явился шестиядерный процессор с кодовым именем Gulftown.

Данный процессор способен обрабатывать данные в 12 потоков (рис. 4).

Этот процессор может быть установлен во многие модели существующих материнских плат, разработанные на основе Intel X58, конечно, конечно, после соответвующего обновления программного кода BIOS.

 

LGA1366 Gulftown 

Рис. 4. Смена топовой модели процессоров LGA1366

 

Необходимо отметить, что поставки 32 нм процессоров уже начались. Но  массовые поставки ожидаются в первом квартале 2010 года.

А после Westmere должен выйти следующий 32-нм процессор Intel, созданный уже по следующей после Nehalem микроархитектуре (рис. 1).

Данная разработка известна под кодовым наименованием Sandy Bridge. У одноименного процессора графическое ядро будет уже не просто в одном корпусе с вычислительным ядром, но интегрировано с ним уже на одном полупроводниковом кристалле.

Sandy Bridge будет поддерживать набор команд AVX для ускоренной работы с числами с плавающей запятой, обработки видео и сокращения времени выполнения приложений, интенсивно использующих вычислительные ресурсы, например, мультимедийных программ.

На Форуме были продемонстрированы системы на базе Sandy Bridge, на которых запускались различные приложения по работе с видео и 3D-графикой.

В этом году исполняется 40 лет одному из самых известных законов, определяющих развитие отрасли. В 1969 году Intel Гордон Мур (Gordon Moore), являющийся одним из основателей компании Intel, на основе доступных ему данных предсказал регулярное удвоение числа транзисторов в сложных микросхемах. Теперь это называется законом Мура (Moore’s Law).

Здесь следунт напомнить, каким образом произошло открытие данного закона. Оказывается, все было очень просто.

Журнал по электронике попросил Гордона Мура предсказать развитие полупроводниковой индустрии на следующие 10 лет. Необходимо отметить, что в то время микросхемы, доступные на рынке, содержали до 30 компонент на чипе. Однако в лаборатории был уже 60-компонентный экспериментальный чип. Гордон Мур выполнил экстраполяцию на период 10 лет и получил сформулированную выше закономерность, предсказывающую появление очень сложных чипов с несколькими десятками тысяч транзисторов.

Как оказалось, предсказание на несколько лет вперед темпа усложнения архитектуры электронных чипов оказалось намного более точным, чем кто-либо ожидал.

 

Moore's law

Рис. 5. Закон Мура

 

Остается напомнить, что все это стало возможным благодаря регулярным улучшением полупроводниковых технологических процессов.

В дальнейшем период смены технологий был откорректирован и определен в два года, и с удивительным постоянством соблюдается уже не один десяток лет.

Как следствие регулярного уменьшения масштабов, которыми оперируют инженеры, растет плотность размещения транзисторов: плотность размещения транзисторов удваивается каждые два года. А следствием этого процесса является возможность усложнять архитектуру процессоров.

Все зто стало возможным благодаря регулярной модификации полупроводниковых технологий.

В следующей части  данной статьи приведены некоторые планы по совершенствованию полупроводниковых техпроцессов и микроархитектур.
   
 

>>    Часть 4  
      


Ссылки по теме

Leave a Reply

You must be logged in to post a comment.