Полупроводниковое будущее (часть 5)


В Сан-Франциско прошел очередной IDF, на котором IT-компании представили свои новейшие разработки

trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)trans Полупроводниковое будущее (часть 5)  

Евгений Рудометов 
 

 >>    Часть 4 
  

Чипы Arrandale (таблица 1) получают два центральных вычислительных ядра, выполненных по 32 нм технологии, интегрированный контроллер памяти и встроенный графический контроллер, изготовленный с применением 45 нм техпроцесса.

Конструктивно процессоры Arrandale представляют собой многочиповую компоновку на единой подложке. Данные процессоры станут первыми x86-совместимыми мобильными процессорами с интегрированным видеоядром.

Как ожидается, максимальное значение рассеиваемой тепловой энергии (TDP) процессоров Arrandale составит 35 Вт. Здесь надо напомнить, что к традиционному теплообразованию вычислительного ядра необходимо еще прибавить теплообразование контроллера памяти и встроенных видеосредств.

Процессорный блок состоит из монолитного двухъядерного кристалла, выполненный по технологии 32 нм, и кэш-памяти объемом 4 Мбайт. Поддерживаются все свойственные 45-нм поколению процессоров технологии, включая двухпоточные задачи на ядро (развитие Hyper-Threading) и технология ускорения одного из ядер за счет отключения другого (Turbo Boost). Кроме этого компания Intel планирует расширить набор инструкций для ускорения операций шифрования.

Что касается графического ядра, оно будет выпущено по нормам 45 нм и размещено на одном кристалле с двухканальным контроллером памяти DDR3-1333 МГц. Снижение норм техпроцесса позволит поднять рабочую частоту видеопроцессора, а тесная интеграция обещает уменьшение латентности при обращении к графическому ядру, а также повышение пропускной способности шины графической памяти.

Конечно, можно уделять много внимания важнейшим комплектующим, однако ни один компьютер не обходится без внешних интерфейсов, от работы которых зависит эффективность всей системы. Именно поэтому инженеры большое внимание уделяют их совершенствованию, улучшая как традиционные средства, так и создавая новые.

Уже к традиционных интерфейсам относятся, например, USB. Несмотря на его популярность, уже сравнительно давно стало понятно, что стандарт USB 2.0 перестал удовлетворять возросшим требованиям высокопроизводительных систем. Отвечая на запросы рынка, конструкторы активно внедряют в свои разработки новый вариант стандарта USB — USB 3.0, десятикратно увеличивший скорость передачи информации.

Для поддержки новейших HDD, таких как 2 Тбайт Seagate Barracuda XT, используется интерфейс SATA 6 Гбит/сек. Соответствующие модели материнских плат уже выпустили ряд производителей, среди которых компания Gigabyte, представившая линейку плат GA-P55.

Не забыты и другие интерфейсы. Так, например, уже разработаны изделия с видеошиной PCI Express 3.0, продолжают развиваться многоканальные варианты Wi-Fi и WiMAX.

Но пожалуй самой интересной разработкой является новый интерфейс, названный Light Peak. В этой технологии высокоскоростной передачи данных используется оптический кабель. Как утверждается, технология будет готова к массовому производству в 2010 году. Предполагается, что она свяжет между собой ноутбуки, дисплеи высокой четкости, камеры, мультимедийные плееры, док-станции и накопители. Помимо высокой скорости, к достоинствам новой технологии относятся уменьшенные размеры разъемов, более тонкие, длинные и гибкие кабели, чем были доступны до сих пор (рис. 7).

 

LightPeak 500x500 Полупроводниковое будущее (часть 5) 

Рис. 7. Чип Light Peak

  

Характеристики Light Peak приведены в следующей части  данной статьи.
   
 

>>    Часть 6  
      


Ссылки по теме

Leave a Reply

You must be logged in to post a comment.