Процессоры 4-го поколения (часть 2)


Компания Intel представила четвертое поколение процессоров Intel Core

trans Процессоры 4 го поколения (часть 2)trans Процессоры 4 го поколения (часть 2)  

Евгений Рудометов 
 

 >>    Часть 1 
  

Михаил Цветков технический специалист Intel в России и других странах СНГ, обратил внимание приглашенных специалистов IT и представителей СМИ на основных особенностях микроархитектуры, получившей наименование Haswell (совпадает с кодовым наименованием изделий) и являющейся основой новых процессоров.

      

Haswell in Moscow 02

      

Он отметил, что в разработке и производстве своих изделий компания Intel уже сравнительно давно использует специальную стратегию, получившую наименование Tick-Tock. Она предусматривает поэтапное внедрение нового технологического процесса, затем новой архитектуры.

В соответствии с этой стратегией в 2006 году были представлены процессоры с микроархитектурой Intel Core. На ее основе были процессоры (45 нм), в дальнейшем по микроархитектуре, получившей наименование Nehalem, были выпущены изделия линейки Nehalem (45 нм) и Westmere (32 нм).

Результатом дальнейших модернизаций микроархитектур и полупроводниковых процессов для настольных и мобильных систем были выпущены изделия с кодовыми именами Sandy Bridge, созданные на основе одноименной микроархитектуры и известные как процессоры Intel Core 2-го поколения.

С освоением следующего технологического процесса свет увидели изделия, получившие кодовое наименование Ivy Bridge (микроархитектура Sandy Bridge, 22 нм) и составившие третье поколение Intel Core.

А усовершенствовав свои предыдущие разработки, компания Intel выпустила модели  четвертого поколения Intel Core. Новинка получила наименование Haswell.

Процессоры, созданные на основе этой разработки, вышли на рынок под традиционными именами Intel Core i7, Intel Core i5, Intel Core i3.

Учитывая  высокие уровни производительности, достигнутые еще в представителях предшественника в лице изделий Ivy Bridge, в новейших моделях Haswell во главу угла инженеры поставили теперь снижение энергопотребления и теплообразования, что расширяет сферу их использования.

Необходимо отметить, что у четырехъядерных моделей со встроенными графическими средствами средней мощности на полупроводниковом кристалле согласно материалам Intel, имеющем площадь 177 кв. мм, расположены 1,4 млрд. транзисторов. При этом значительная часть полупроводниковых элементов задействованы в графических средствах. Теперь эти средства занимают уже около 30 процентов площади кремниевого кристалла, что существенно больше по сравнению с предшествующими разработками.

      

Haswell in Moscow 03

      

В следующей части  данной статьи  — о важнейших технологиях, реализованных в процессорах четвертого поколения Intel Core.
    

>>    Часть 3 
      


Ссылки по теме

Leave a Reply

You must be logged in to post a comment.