Евгений Рудометов 
 

 >>    Часть 1 
  

Внешний вид накопителя SSD P1 500GB (CT500P1SSD8) представлен на рис. 3, основные характеристики, официально объявленные производителем, приведены в таблице 1.

Рис. 3.  Внешний вид, лицевая и обратная стороны SSD P1 500GB
            (кликнуть мышью для увеличения картинки)

Таблица 1.  Основные характеристики SSD P1 500GB

Накопитель SSD P1 500GB выполнен в сверхкомпактном форм-факторе M.2, обладает очень малыми размерами, составляющими 80,0 × 22,0 мм. Выпущен в бескорпусном варианте с односторонним монтажом элементов на плате из стеклотекстолита, окрашенного в черный цвет (рис. 3). Ряд технических и эксплуатационных характеристик приводится на этикетке (рис. 4), наклеенной на лицевой стороне поверх части электронных элементов (рис. 3).

Рис. 4.  Этикетка SSD P1 500GB

Необходимо отметить, на фирменном сайте производителя в нескольких разделах приводится сравнительно небольшое количество параметров (таблица 1). Среди них для большинства пользователей обычно актуальны показатели надежности и скоростные параметры. Так, например, показатель MTBF (Mean Time Between Failures — время наработки на отказ) составляет 1,5 млн часов, а показатель TBW (Total Bytes Written — общее количество байт, которое может быть записано на накопитель) — 100 Тбайт, что эквивалентно записи примерно 54 Гбайт данных в день в течение пяти лет установленного гарантийного срока. Анонсированные производителем скоростные возможности приведены в таблице 1. Необходимо отметить, что для передачи компьютерных данных архитектурой накопителя резервируются 4 линии PCI Express Gen3, напряжение питания — 3,3 В, ток потребления — до 1,7 А (рис. 4). Фактически указанными параметрами исчерпываются официальные характеристики. Однако, удалив наклейку, закрывающую доступ к большей части элементов устройства, можно получить дополнительную информацию об архитектуре, а, следовательно, и возможностях накопителя.

Рис. 5.  Скрытые этикеткой элементы SSD P1 500GB
            (кликнуть мышью для увеличения картинки)

Как следует из маркировок микросхем, размещенных на плате (рис. 3 и рис. 5), в архитектуре накопителя SSD P1 500GB использованы два чипа флэш-памяти Micron NW946 (256 Гбайт, 64-слойная QLC 3D NAND), обеспечивающие суммарную емкость 512 Гбайт. Управление элементами накопителя осуществляет контроллер Silicon Motion SM2263EN (4 линии по 8 Гбит/с интерфейса PCIe Gen3 x4, 4 канала NAND, поддержка NVMe 1.3, последовательные чтение/запись — до 2400/1700 Мбайт/с, случайные чтение/запись — до 300/250 IOPS, поддержка DRAM DDR3L/LPDDR3/DDR4, использование эффективных кодов исправления ошибок и др. функции). Применение в архитектуре накопителя чипа DRAM-памяти Micron D9SHD (512 Мбайт DRAM DDR3L) и технологии SLC-кэширования, как следует из технических характеристик, обеспечивает сравнительно высокие скоростные характеристики SSD P1 500GB, несмотря на использование даже не очень быстрой QLC 3D NAND.

На указанный накопитель предоставляется 5-летняя ограниченная гарантия, которая «действует в течение пяти лет с даты первоначальной покупки или до израсходования общего количества записанных байт, опубликованного в спецификациях продукта».

Реальные емкостные и скоростные возможности твердотельного накопителя SSD P1 500GB, созданного компанией Micron, были оценены в процессе тестирования.

Особенности тестовой системы и результаты тестирования SSD P1 500GB (CT500P1SSD8) рассмотрены  в следующих частях  данной статьи.
    

>>    Часть 3